CN119835976A 半导体装置及其制造方法 （世界先进积体电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835976A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311314453.7

(22)申请日2023.10.11

(71)申请人世界先进积体电路股份有限公司地址中国台湾新竹县

(72)发明人李文山李宗晔陈富信

(74)专利代理机构深圳新创友知识产权代理有限公司44223

专利代理师徐罗艳

(51)Int.Cl.

H10D30/66(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

权利要求书3页说明书9页附图10页

(54)发明名称

半导体装置及其制造方法

(57)摘要

CN119835976A本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括一基底，具有一第一表面和一第二表面；一闸极接垫和一源极接垫，彼此侧向分离，均设置于基底的第一表面之上；一汲极区，设置于基底的第二表面；一第一沟槽，设置于基底中，位于闸极接垫的正下方；一导电部，填充于第一沟槽内；一介电衬层，设置于第一沟槽内且围绕导电部；一第一掺杂区，位于第一沟槽的侧边；一第二沟槽，设置于基底中，位于源极接垫的正下方；一闸极电极，填充于第二沟槽内；一闸极介电层，设置于第二沟槽内且围绕闸极电极；以及一源极区，位于第二沟槽的侧边