CN119835993A 半导体结构及其制造方法、电子设备 （北京超弦存储器研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119835993A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202311310787.7

(22)申请日2023.10.11

(71)申请人北京超弦存储器研究院

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区科创十街18号院11号楼四层401室

(72)发明人马雪丽段新绿项金娟王桂磊赵超

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师胡雪

(51)Int.Cl.

H10D84/02(2025.01)

H10D86/01(2025.01)

H10D84/03(2025.01)

H10D84/83(2025.01)

H10D86/00(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D30/60(2025.01)

H10D62/80(2025.01)

权利要求书3页说明书12页附图11页

CN

CN119835993A

半导体结构及其制造方法、电子设备

(57)摘要

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构的制造方法包括：提供衬底；于衬底上形成第一垂直晶体管；于第一垂直晶体管上沉积一层或多层层间绝缘介质材料层，对一层或多层层间绝缘介质材料层进行等离子体处理，