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- 约4.13万字
- 约 66页
- 2026-07-07 发布于山西
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN119835997A
(43)申请公布日2025.04.15
(21)申请号202311309117.3
(22)申请日2023.10.10
(71)申请人华为技术有限公司
地址518129广东省深圳市龙岗区坂田华
为总部办公楼
(72)发明人呼翔董耀旗何超刘明山
高建玉苏欣许俊豪
(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有
限公司11319
专利代理师王洪
(51)Int.Cl.
H10D84/83(2025.01)
H10D84/85(2025.01)
H10D84/03(2025.01)
H01L23/528(2006.01)
G06F30/392(2020.01)
权利要求书4页说明书19页附图16页
CN119835997A
(54)发明名称
芯片及其设计方法、电子设备、电路版图数
据库
(57)摘要
本申请提供一种芯片及其设计方法、电子设备、电路版图数据库,涉及半导体领域,可以缩短第一垂直晶体管的第二极和第二垂直晶体管的栅极的电连接路径。该芯片包括位于衬底上的标准单元,该标准单元包括:并排排布的第一垂直晶体管和第二垂直晶体管、间隔层、设置于间隔层背离衬底一侧的第一导电层。第一垂直晶体管和第二垂直晶体管均包括沿Z
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