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基于GaN器件的高频开关电源设计与热管理优化

摘要

随着电力电子系统向小型化、高功率密度方向发展，传统硅基器件在高频应用场景下开关损耗与热瓶颈日益突出。本课题以氮化镓（GaN）功率器件为核心，设计一台输入48V、输出12V、额定功率300W的隔离型高频开关电源，开关频率设定为500kHz。通过LLC谐振变换器拓扑降低开关损耗，并围绕GaN器件高热流密度特性，构建从芯片级到系统级的热管理方案，将功率密度提升至约30W/in3。

论文首先分析高频电源的损耗构成与热设计约束，明确效率、体积、温升等核心指标。随后，在技术选型与需求分析基础上，完成拓扑选择、主电路参数设计、平面变压器与PCB布局优化，并借助热阻网络模型与有限元热仿真，设计微槽道散热器与导热界面材料组合方案。样机实测表明，满载效率达95.2%，关键器件温升控制在45°C以内，功率密度较同规格硅基方案提升约2.5倍。全文贯穿“需求分析→总体设计→详细设计→实现→测试”的工程逻辑，核心创新点在于将GaN器件特性与拓扑优化及热管理深度耦合，为高功率密度电源设计提供可直接参考的工程实践。

第一章绪论

1.1研究背景

随着5G通信、数据中心、新能源汽车和便携式电子设备的快速发展，电源系统对体积、重量和效率的要求愈发严苛。传统硅（Si）基MOSFET和IGBT受限于材料物理极限，在数百千赫兹以上的高频应用中