CN119836865A 半导体材料、用于制备半导体材料的层的方法、包含半导体材料的有机半导体器件和化合物 （诺瓦尔德股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119836865A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202380064465.0

(22)申请日2023.09.29

(30)优先权数据22022.09.29EP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2025.03.07

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/EP2023/0771022023.09.29

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/068951EN2024.04.04

(71)申请人诺瓦尔德股份有限公司地址德国

(72)发明人托马斯·斯坦内特

(74)专利代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司11219

专利代理师郭国清宫方斌

(51)Int.Cl.

H10K85/10(2006.01)

H10K85/60(2006.01)

权利要求书3页说明书57页附图3页

(54)发明名称

半导体材料、用于制备半导体材料的层的方法、包含半导体材料的有机半导体器件和化合物(57)摘要

CN119836865A本发明涉及一种半导体材料、用于制备所述半导体材料的层的方法以及包含所述半导体材料的有机半导体器件。本发明还涉及一种化合

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