2026碳化硅半导体材料器件适配性及良率提升方案
目录
TOC\o1-3\h\z\u摘要 3
一、碳化硅半导体行业现状与2026年发展趋势 5
1.1全球及中国SiC材料与器件市场规模预测 5
1.26英寸向8英寸过渡的产业化进程分析 8
1.3新能源汽车与光伏储能等核心应用场景需求拆解 13
二、SiC材料特性对器件适配性的基础影响 16
2.1晶体生长缺陷(微管、位错、层错)对良率的本征影响 16
2.2衬底与外延晶格失配及热膨胀系数差异分析 19
2.3材料纯度与掺杂均匀性对电学性能的制约 22
三、SiCMOSF
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