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《高纯铬靶材》国家标准

编制说明

（讨论稿）

《高纯铬靶材》标准起草小组

2026年5月

一、工作简况

1.1任务来源

根据国家标准化管理委员会《关于下达2026年第二批推荐性国家标准计划及相关标准

外文版计划的通知》（国标委发〔2026〕XX号）的要求，由宁波江丰电子材料股份有限公

司负责起草《高纯铬靶材》国家标准。项目计划编号：xxxxx，计划完成年限为2027年12

月。

1.2标准制定的必要性

在半导体制造及平板显示领域，掩膜版是光刻工艺的核心母版，其性能直接决定图形转

移精度与终端器件可靠性。其中，遮光层作为掩膜版的功能核心，普遍采用磁控溅射工艺在

石英基板上沉积的方式制备。铬材料凭借优异的化学稳定性、高抗激光损伤阈值、强耐腐蚀

性以及良好的微纳图形刻蚀保真度，是高端掩膜版硬质遮光材料的主流选择。

随着集成电路制程持续微缩及新型显示技术加速落地，对掩膜版图形分辨率、套刻精度

与长期服役稳定性的要求日趋严苛，进一步推动高纯铬靶材向“更高纯度、更优组织、更低

缺陷”方向升级。

然而，我国光掩膜版产业