CN119920753A 形成高纵横比开口的方法及形成高纵横比特征的方法 （美光科技公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119920753A

(43)申请公布日2025.05.02

(21)申请号202510107530.4

(22)申请日2018.12.26

(30)优先权数据

15/858,0212017.12.29US

(62)分案原申请数据

201811598464.12018.12.26

(71)申请人美光科技公司地址美国爱达荷州

(72)发明人渡嘉敷健约翰·A·斯迈思古尔特杰·S·桑胡

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师王龙

(51)Int.Cl.

H01L21/762(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图3页

(54)发明名称

形成高纵横比开口的方法及形成高纵横比

特征的方法

(57)摘要

CN119920753A本申请案涉及形成高纵横比开口的方法及形成高纵横比特征的方法。所述方法包括在低于约0℃的温度下移除电介质材料的一部分以在所述电介质材料中形成至少一个开口。所述至少一个开口包括大于约30:1的纵横比。在低于约0℃的温度下在所述至少一个开口中及所述电介质材料的侧壁上形成保护材料。所述半导体装置包括电介质材料堆叠，所述电介质材料堆叠包括交替电介质材料的至少约80个层体。所述电介质材料堆叠具有基本上垂直