CN119620535A 半导体结构及其形成方法、量测套刻误差的方法 (浙江创芯集成电路有限公司).pdfVIP

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  • 2026-07-09 发布于重庆
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CN119620535A 半导体结构及其形成方法、量测套刻误差的方法 (浙江创芯集成电路有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119620535A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411829642.2H01L23/544(2006.01)

H01L21/66(2006.01)

(22)申请日2024.12.11

(71)申请人浙江创芯集成电路有限公司

地址311200浙江省杭州市萧山区宁围街

道平澜路2118号浙江大学杭州国际科

创中心水博园区11幢4层-5层(自主申

报)

(72)发明人杨佳斐李胜吴建明张勇

(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务

所(

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