CN119688801A 一种l-半胱氨酸修饰岛状硫化钴-氧化钴异质纳米片阵列-碳纸材料的制备及应用 (哈尔滨理工大学).pdfVIP

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  • 2026-07-10 发布于重庆
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CN119688801A 一种l-半胱氨酸修饰岛状硫化钴-氧化钴异质纳米片阵列-碳纸材料的制备及应用 (哈尔滨理工大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119688801A

(43)申请公布日2025.03.25

(21)申请号202411802690.2

(22)申请日2024.12.09

(71)申请人哈尔滨理工大学

地址150046黑龙江省哈尔滨市南岗区学

府路52号

(72)发明人岳红彦苏杭高鑫兰景茗

张浩鹏

(51)Int.Cl.

G01N27/30(2006.01)

G01N27/327(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图3页

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