硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片技术改造项目公示版+报告表.pdfVIP

建设项目环境影响报告表

（污染影响类）

项目名称：硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子

芯片技术改造项目

建设单位（盖章）：杭州士兰集昕微电子有限公司

编制日期：2023年7月

中华人民共和国生态环境部制

目录

一、建设项目基本情况1

二、建设项目工程分析16

三、区域环境质量现状、环境保护目标及评价标准64

四、主要环境影响和保护措施79

五、环境保护措施监督检查清单105

六、结论107

专题一：大气108

专题二：环境风险142

附表178

一、建设项目基本情况

建设项目名称硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片技术改造项目

项目代码2012-330155-89-02-581443

建设单位联系人