硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子芯片技术改造项目公示版+报告表.pdfVIP

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硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子芯片技术改造项目公示版+报告表.pdf

建设项目环境影响报告表

(污染影响类)

项目名称:硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子

芯片技术改造项目

建设单位(盖章):杭州士兰集昕微电子有限公司

编制日期:2023年7月

中华人民共和国生态环境部制

目录

一、建设项目基本情况1

二、建设项目工程分析16

三、区域环境质量现状、环境保护目标及评价标准64

四、主要环境影响和保护措施79

五、环境保护措施监督检查清单105

六、结论107

专题一:大气108

专题二:环境风险142

附表178

一、建设项目基本情况

建设项目名称硅基氮化镓(GaN)HEMT结构电力电子芯片技术改造项目

项目代码2012-330155-89-02-581443

建设单位联系人

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