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模拟电子技术试卷及参考答案

一、单项选择题（共10题，每题1分，共10分）

以下关于二极管单向导电性的描述，正确的是（）

A.二极管正向偏置时，内部耗尽层变宽，电流无法通过

B.二极管反向偏置时，内部耗尽层变窄，允许少量反向漏电流通过

C.二极管正向偏置时，内部耗尽层变窄，形成较大的正向电流

D.二极管反向偏置时，只要电压足够大，就会立刻发生不可逆击穿

答案：C

解析：二极管的单向导电性由内部PN结特性决定。正向偏置时，外电场削弱内电场，耗尽层变窄，多数载流子顺利通过PN结，形成较大正向电流，故选项C正确。选项A错误，正向偏置时耗尽层变窄，电流可通过；选项B错误，反向偏置时耗尽层变宽，仅允许极少量反向漏电流；选项D错误，反向击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿，齐纳击穿在反向电压撤去后二极管可恢复正常，并非不可逆。

三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置状态为（）

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

答案：B

解析：三极管放大的核心条件是发射结正偏以保证多数载流子注入，集电结反偏以收集注入的载流子，故选项B正确。选项A对应饱和状态，选项C无实际工作意义，选项D对应截止状态。

共射极放大电路的主要特点是（）

A.电压放大倍数小于1，电流放大倍数大

B.电压放大倍数大，电流放大倍数小

C.