锂氮共掺杂构筑稳定p型氧化锌及光电器件性能优化研究.docx

锂氮共掺杂构筑稳定p型氧化锌及光电器件性能优化研究

一、绪论

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，半导体材料在众多领域发挥着至关重要的作用。氧化锌（ZnO）作为一种宽带隙半导体材料，凭借其独特的物理性质，在光电领域展现出了巨大的应用潜力。

ZnO的禁带宽度约为3.37eV，激子结合能高达60meV。这一特性使得ZnO在室温下就能实现高效的激子复合发光，为其在发光器件中的应用提供了坚实的基础。在光电器件领域，基于ZnO的紫外探测器具有高灵敏度、快速响应等优点，能够对紫外光进行精确探测，在军事、科研、环境监测等领域有着广泛的应用前景。其高激子结合能也使得ZnO在发