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模电100个知识点总结

一、半导体器件基础

1.半导体材料特性：半导体材料（如硅、锗）的导电能力介于导体与绝缘体之间，其电导率对温度、光照、杂质等因素极为敏感，这是半导体器件工作的物理基础。

2.本征半导体：纯净的半导体晶体称为本征半导体。在绝对零度时，其内部没有自由载流子，呈绝缘体特性；当温度升高或受光照射时，会产生电子-空穴对，具有一定导电能力。

3.杂质半导体：在本征半导体中掺入微量杂质元素可形成杂质半导体。掺入五价元素（如磷）形成N型半导体，多子为电子；掺入三价元素（如硼）形成P型半导体，多子为空穴。

4.PN结的形成：当P型半导体和N型半导体结合时，交界面处由于载流子浓度差发生扩散运动，同时形成内建电场，阻止扩散继续进行，最终达到动态平衡，形成具有单向导电性的PN结。

5.PN结的单向导电性：PN结正向偏置（P区接正，N区接负）时，内建电场被削弱，多数载流子顺利扩散，形成较大正向电流；反向偏置时，内建电场增强，只有少数载流子形成微弱反向电流，近似截止。

6.PN结的伏安特性：描述PN结两端电压与流过电流之间的关系，数学表达式为I=Is(e^(qU/kT)-1)，正向导通时电压降约为硅管0.7V，锗管0.3V。

7.PN结的电容效应：PN结存在势垒电容（CB）和扩散电容（CD）。势垒电容与外加电压有关，反向偏置时主要考虑势垒电容；正向偏置