2025年大学大三（电子科学与技术）半导体技术专项测试题及答案.docVIP

2025年大学大三（电子科学与技术）半导体技术专项测试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：本卷共8题，每题5分。在每题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1.以下哪种半导体材料具有较高的电子迁移率？

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.碳化硅

2.半导体二极管的正向导通是由于（）。

A.多数载流子的扩散运动

B.少数载流子的漂移运动

C.多数载流子的漂移运动

D.少数载流子的扩散运动

3.对于N型半导体，以下说法正确的是（）。

A.电子是多数载流子，空穴是少数载流子

B.空穴是多数载流子，电子是少数载流子

C.只有电子一种载流子

D.只有空穴一种载流子

4.半导体三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

5.以下哪种半导体器件常用于电压稳压？

A.二极管

B.三极管

C.稳压管

D.场效应管

6.场效应管的控制方式是（）。

A.电流控制电流

B.电流控制电压

C.电压控制电流

D.电压控制电压

7.半导体集成电路中最基本的逻辑门电路是（）。

A.与门

B.或门

C