半导体来料性能抽检计划.xlsVIP

Sheet3

Sheet2

特殊条件下半导体来料性能抽检计划

编码

厂家

型号

抽样地点

抽检频次

样品数量

抽检项目

抽检条件

测试指标

合格判据

备注

1次/半年

高温电参数

Tj=125℃,Vr=480V

Ir

Ir7MA

Tj=125℃,Vr=960V

Ir3MA

Ir14MA

Ir60MA

1次/季度

Tj=150℃,Vr=600V

Ir800uA

Tj=175℃,Vr=600V

Ir1000uA

1次/月

安装绝缘

散热器安装

Viso

5Nm力矩安装到散热器之后，绝缘耐压满足交流3KV1分钟。

1次/季

125℃下测试

VRM

IR=100uA条件下,VRM800V

高温125℃存储5小时后进行高温测试

击穿电压VBR

漏电流IR

满足规格书的要求；漏电流IR小于1000uA；无短路

高低温电参数

分别进行高温125℃和低温-20℃存储0.5小时后进行高低温测试

漏电流IR

稳压值Vz

满足规格书的要求；Vz在11.4到12.7V之间，IR小于0.1uA；

满足规格书的要求；Vz在16.8到19.1V之间，IR小0.05uA；

满足规格书的要求；Vz在4.8到5.1V之间，IR小于0.1uA；

OEM

hFE

Ic=150mA,Vce=1V条件下,125hFE375

低温电参数

在-25℃下测试

BVDSS

Vgs=0VID=250uA条件下不小于810V；

150