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毕业设计（论文）

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毕业设计（论文）报告

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pSiTFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究

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pSiTFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备与研究

摘要：随着信息技术的飞速发展，硅基薄膜晶体管（SiTFT）因其优异的性能和低成本的制造工艺在显示、传感器等领域得到了广泛的应用。栅绝缘层是SiTFT的核心组成部分之一，其性能直接影响到器件的性能和可靠性。本文主要研究了pSiTFT栅绝缘层用SiN薄膜的制备方法，分析了不同制备工艺对SiN薄膜结构和性能的影响。通过实验和模拟，确定了最佳制备工艺，并对制备的SiN薄膜进行了电学、光学和化学性能测试。结果表明，制备的SiN薄膜具有优异的电学、光学和化学性能，可作为pSiTFT栅绝缘层的理想材料。本文的研究成果对于提高SiTFT的性能和可靠性具有重要的理论和实际意义。

前言：随着信息技术的飞速发展，电子设备对显示和传感器的需求越来越高，对显示器件的尺寸、性能和可靠性提出了更高的要求。硅基薄膜晶体管（SiTFT）作为新一代的显示器件，具有优异的性能和低成本的制造工艺，在显示、传感器等领域得到了广泛的应用。栅绝缘层是SiTFT的核心组成部分之一，其性能直接影响到器件的性能和可靠性。因此，研究和开发高性能的栅绝缘层材料具有重要的理论意义