CN119297074A 碳化硅mosfet高温离子注入方法及装置 （深圳市芯电元科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119297074A

(43)申请公布日2025.01.10

(21)申请号202411785435.1B82Y40/00(2011.01)

(22)申请日2024.12.06

(71)申请人深圳市芯电元科技有限公司

地址518000广东省深圳市南山区桃源街

道福光社区留仙大道3370号南山智园

崇文园区3号楼1901、1902

(72)发明人杨彦峰黄凤明

(74)专利代理机构深圳卓瀚知识产权代理有限

公司441109

专利代理师卢艳雪

(51)Int.Cl.

H01L21/265(2006.01)

H01L21/6