CN119604010A Ldmos器件及其制备方法 （武汉新芯集成电路股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119604010A

(43)申请公布日2025.03.11

(21)申请号202411796821.0

(22)申请日2024.12.06

(71)申请人武汉新芯集成电路股份有限公司

地址430205湖北省武汉市东湖开发区高

新四路18号

(72)发明人蔡建祥李少剑王亢

(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理

事务所(普通合伙)44280

专利代理师黎坚怡

(51)Int.Cl.

H10D64/00(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D30/65(2025.01)