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CN119555642A 半导体异质结构的带隙测试方法、装置和计算机设备 （澳门科技大学）.pdfVIP

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  • 2026-07-16 发布于重庆
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CN119555642A 半导体异质结构的带隙测试方法、装置和计算机设备 （澳门科技大学）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119555642A

    (43)申请公布日2025.03.04

    (21)申请号202411781308.4

    (22)申请日2024.12.05

    (71)申请人澳门科技大学

    地址中国澳门氹仔伟龙马路澳门科技大学

    (72)发明人李中俊李建庆潘志远夏之勉

    张熙刘文波伍乃骐

    (74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

    公司44224

    专利代理师周清华

    (51)Int.Cl.

    G01N21/47(2006.01)

    权利要求书2页说明书11页附图5页

    (54)发明名称

    半导体异质结构的带隙测试方法、装置和计

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