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先进封装在端侧AI的普及：扇出型封装（FO）与2.5D/3D封装在手机、可穿戴的规模化应用

摘要

本报告聚焦先进封装技术在端侧人工智能（AI）领域的渗透与演进，系统预测了扇出型封装（FO）与2.5D/3D封装技术从旗舰智能手机向中端手机及可穿戴设备市场的规模化下沉路径。研究覆盖全球及中国半导体封装产业，预测周期为未来5年（2024-2029年）。

随着大模型轻量化技术的突破，端侧AI对算力与存储带宽的需求呈指数级增长。然而，传统摩尔定律逼近物理极限，系统级单芯片（SoC）面积增大导致良率下降与成本飙升。在此背景下，先进封装成为打破“内存墙”与“面积墙”的核心路径。

核心趋势判断认为，端侧AI芯片的高带宽、小体积需求将驱动封装成本结构发生根本性优化。基于硅中介层的2.5D封装将率先在旗舰手机中固化，而高密度扇出型封装（HDFO）及无硅通孔的3D堆叠技术将凭借更优的成本效益，加速向中端手机与智能手表等可穿戴设备渗透，推动端侧AI的全面普及。

本报告遵循“环境→现状→趋势→演进→预测→影响→建议”的逻辑展开。首先扫描宏观环境与核心驱动因素，明确技术、需求与政策的合力作用；其次剖析当前先进封装的竞争格局与产能瓶颈；接着深度研判高确定性趋势与高影响力不确定变量；随后构建时间线与三场景推演，量化预测细分市场规模；最后评估趋势对产业链的价值重构影响，并提出战略建议。读者通过本摘