CN120021145A 用于减少gan开关中的驱动损耗的电路和方法 （意法半导体国际公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120021145A

(43)申请公布日2025.05.20

(21)申请号202411644712.7

(22)申请日2024.11.18

(30)优先权数据

18/515,0682023.11.20US

(71)申请人意法半导体国际公司地址瑞士日内瓦

(72)发明人S·梅西纳S·米塔N·艾洛

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256

专利代理师段丹辉

(51)Int.Cl.

H02M1/088(2006.01)

H02M1/00(2007.01)

H02M1/38(2007.01)

权利要求书3页说明书11页附图13页

(54)发明名称

用于减少GAN开关中的驱动损耗的电路和方

法

(57)摘要

CN120021145A本公开的实施例涉及用于减少GAN开关中的驱动损耗的电路和方法。半桥电路包括两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。驱动器电路生成与方波相对应的高侧驱动器信号和低侧驱动器信号。驱动器死区时间是两个驱动器信号都为低之间的时段。半桥调整电路被耦合在驱动器与半桥电路之间，并且生成修正高侧驱动器信号和修正低侧驱动器信号，修正高侧驱动器信号和修正低侧驱动器信号各自包括在对应的死区时间期间从低电压到中间电压的转变、以及在对应