电力电子半导体器件(IGBT)--课件课件.pptVIP

§7.3IGBT的保护一、常用的保护措施：(1)通过检出的过电流信号切断门极控制信号，实现过电流保护(2)利用缓冲电路抑制过电压并限制过量的dv/dt。(3)利用温度传感器检测IGBT的壳温，当超过允许温度时主电路跳问，实现过热保护。二、过电流保护措施及注意问题：1．IGBT短路时间：*ppt课件*ppt课件2．过电流的识别：采用漏极电压的识别方法，通过导通压降判断漏极电流大小。进而切断门极控制信号。注意：识别时间和动作时间应小于IGBT允许的短路过电流时间（几个us），同时判断短路的真与假，常用方法是利用降低门极电压使IGBT承受短路能力增加，保护电路动作时间延长来处理。3．保护时缓关断：由于IGBT过电流时电流幅值很大，加之IGBT关断速度快。如果按正常时的关断速度，就会造成Ldi/dt过大形成很高的尖峰电压，造成IGBT的锁定或二次击穿，极易损坏IGBT和设备中的其他元器件，因此有必要让IGBT在允许的短路时间内采取措施使IGBT进行“慢速关断”。*ppt课件*ppt课件*第七章绝缘栅双极晶体管

（IGBT)*ppt课件原理与特性一、概述IGBT——InsulatedGateBipolarTransistor近年来出现了许多新型复合器件，