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碳化硅基氮化镓在电子战与多波段干扰机高功率密度射频源中的不可替代性及供应链分析

摘要

本报告聚焦于碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）技术在国防电子战（EW）及多波段干扰机高功率密度射频源领域的应用，深度剖析其技术不可替代性与全球供应链格局。

研究范围覆盖从衬底材料、外延器件到射频前端模组的完整产业链，地理上聚焦北美、欧洲及亚太三大军工核心区，时间跨度以2024年为基准，前瞻至2026年的关键需求窗口期。

核心发现表明，GaN-on-SiC凭借其卓越的高功率密度、宽禁带热管理能力及高频效率，已成为下一代电子战系统的唯一可行技术路径。在以有源相控阵（AESA）干扰机为代表的复杂电磁环境中，其对传统砷化镓（GaAs）或硅基射频器件的替代效应确立。

报告梳理了2025-2026年全球国防电子战需求激增背景下的产能缺口，指出受限于高纯半绝缘SiC衬底良率及外延工艺壁垒，全球有效产能高度集中于少数企业。供应链呈现“衬底绑架外延，外延锁定器件”的强粘性特征，自主可控成为大国博弈的焦点。

预测显示，2026年全球军用GaN-on-SiC射频器件市场规模将突破22亿美元，年复合增长率达18%。针对中国产业，报告建议通过垂直整合与差异化技术路线，在特定频段和异质集成领域突破封锁，最终构建抵御供应链断裂的韧性体系。

第一章行业概况与研究框架

1.1行业定义与分类

本报告将碳化硅