CN119564343A 光声显微成像脑电极植入位点及其路径规划的方法及系统 (上海交通大学).pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.35万字
  • 约 11页
  • 2026-07-21 发布于重庆
  • 举报

CN119564343A 光声显微成像脑电极植入位点及其路径规划的方法及系统 (上海交通大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119564343A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202411761971.8A61B5/294(2021.01)

(22)申请日2024.12.03

(71)申请人上海交通大学

地址200240上海市闵行区东川路800号

申请人上海馥逸医疗科技有限公司

(72)发明人杨广中郭遥柳宇轩罗雅婷

刘宁

(74)专利代理机构上海汉声知识产权代理有限

公司31236

专利代理师胡晶

(51)Int.Cl.

A61B34/10(2016.01)

A61B34/20(2016.01)

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档