- 2
- 0
- 约3.08千字
- 约 8页
- 2026-07-22 发布于河北
- 举报
半导体物理进阶习题与答案解析50题
一、选择题(每题3分,共30分)
1.以下哪种半导体材料的电子迁移率最高?
A.硅
B.锗
C.砷化镓
D.碳化硅
2.当半导体处于热平衡状态时,以下说法正确的是:
A.电子浓度大于空穴浓度
B.电子浓度等于空穴浓度
C.电子浓度小于空穴浓度
D.电子浓度与空穴浓度的关系不确定
3.半导体的本征激发是指:
A.价带电子跃迁到导带
B.导带电子跃迁到价带
C.杂质原子电离
D.以上都不对
4.对于N型半导体,其多数载流子是:
A.电子
B.空穴
C.离子
D.中子
5.半导体的电导率与以下哪些因素有关?
A.载流子浓度
B.载流子迁移率
C.温度
D.以上都是
6.当温度升高时,半导体的本征载流子浓度会:
A.增大
B.减小
C.不变
D.先增大后减小
7.以下哪种现象不属于半导体的光电效应?
A.光生伏特效应
B.光电导效应
C.热电效应
D.光发射效应
8.半导体二极管的正向伏安特性曲线呈现:
A.线性关系
B.指数关系
C.双曲线关系
D.抛物线关系
9.对于MOSFET,以下哪种说法是错误的?
A.是一种场效应晶体管
B.栅极电压可以控制漏极电流
C.源极和漏极是对称的
D.只能工作在放大状态
10.半导体激光器发光的原理是:
A.自发辐射
B
原创力文档

文档评论(0)