集成鳍式场效应晶体管(FINFET)及其制作方法 .pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103109371A

(43)申请公布日2013.05.15

(21)申请号CN201180042529.4

(22)申请日2011.08.02

(71)申请人超威半导体公司

地址美国加利福尼亚州

(72)发明人理查德T··舒尔茨

(74)专利代理机构上海胜康律师事务所

代理人李献忠

(51)Int.CI

H01L29/78

H01L21/336

H01L21/84

H01L27/12

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

集成鳍式场效应晶体管(FINFET)及

其制作方法

(57)摘要

一种集成鳍式场效应晶体管

（FinFET）和在块体晶片上制作这种装置

（具有浅沟槽隔离