2025年第三代半导体GaN功率器件性能测试与应用考核试卷.docVIP

2025年第三代半导体GaN功率器件性能测试与应用考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.第三代半导体GaN功率器件相较于传统硅基器件，主要优势在于？

A.成本更低

B.导通电阻更小

C.工作温度更低

D.制造工艺更复杂

2.下列哪项不是GaN功率器件的主要应用领域？

A.5G通信设备

B.电动汽车

C.家用电器

D.光伏发电

3.测试GaN功率器件的开关速度时，通常使用哪个参数？

A.上升时间（tr）

B.下降时间（tf）

C.延迟时间（td）

D.以上都是

4.GaN功率器件的导通电阻（Rds(on)）测试通常在什么条件下进行？

A.零栅极电压

B.最大栅极电压

C.中间栅极电