化学机械抛光（CMP）抛光液与抛光垫的国产化进程与市场空间.docxVIP

PAGE2

化学机械抛光（CMP）抛光液与抛光垫的国产化进程与市场空间

摘要

本报告聚焦半导体制造关键耗材——化学机械抛光（CMP）材料领域，以抛光液与抛光垫为核心研究对象，系统分析其在先进制程中的耗材属性、国产化技术突破与市场空间。研究覆盖28nm至3nm先进逻辑芯片与3DNAND存储芯片制造场景，时间跨度自2018年国产化起步至2028年中期预测。

核心发现表明，CMP材料作为晶圆制造中用量最大、更换频率最高的核心耗材之一，在先进制程中呈现“用量指数级增长、品类多元化、性能要求陡增”的耗材特征。2023年全球CMP材料市场规模约38亿美元，中国市场占比约32%，达12.2亿美元。在抛光液领域，安集科技已完成28nm全品类覆盖，14nm节点铜阻挡层抛光液进入量产验证，年营收突破16亿元人民币；鼎龙股份在抛光垫领域打破陶氏化学长达20年的垄断，2023年国内市场占有率提升至约18%，产品进入中芯国际、长江存储供应链。技术突破路径呈现“由易到难、从成熟制程向先进制程渗透”的阶梯式特征。

报告判断，国产化率将从2023年的约22%提升至2028年的45%-55%，在中美科技博弈与供应链自主可控双重驱动下，国产CMP材料进入“技术突破→客户验证→批量替代”的加速循环。预计2028年中国CMP材料市场规模将达25-30亿美元，国产替代空间超过12亿美元。投资机会集中于已实现节点验证