2025年大学第三学年（电子科学与技术基础）专项创新测试试题及答案.docVIP

2025年大学第三学年（电子科学与技术基础）专项创新测试试题及答案

（考试时间：90分钟满分100分）

班级______姓名______

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将每小题的正确答案填在括号内。(总共8题，每题5分)

1.以下哪种半导体器件具有单向导电性？（）

A.二极管B.三极管C.场效应管D.晶闸管

2.对于N型半导体，其多数载流子是（）。

A.电子B.空穴C.离子D.光子

3.当PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.变宽B.变窄C.不变D.不确定

4.三极管处于放大状态时，其发射结和集电结的偏置情况是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏

5.场效应管的控制方式是（）。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电流D.电压控制电压

6.集成运算放大器的输入级通常采用（）。

A.共射放大电路B.共集放大电路C.差分放大电路D.功率放大电路

7.以下哪种电路可以实现信号的放大和整形？（）

A.加法器B.比较器C.积分器D.施密特触发器

8.数字电路中，最基本的逻辑门是