CN119940253A 一种p型栅GaN HEMT器件高温栅偏性能变化分析方法 （扬州大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119940253A

(43)申请公布日2025.05.06

(21)申请号202411760200.7

(22)申请日2024.12.03

(71)申请人扬州大学

地址225091江苏省扬州市大学南路88号

(72)发明人薛玉雄刘涵勋曹荣幸陈肖

陆雨鑫周炜翔李佳妍丁伟涛

(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限

公司32200

专利代理师唐循文

(51)Int.Cl.

G06F30/367(2020.01)

G06F30/373(2020.01)

G06F119/14(2020.01)

G06F119/08(2020.01)