EJ_T 1242-2017 晶闸管辐射工艺技术要求.pdfVIP

EJ/T
1242-2017
晶闸管辐射⼯艺技术要求

发布部⻔：国家国防技⼯业局

发布⽇期：2017-12-28

实施⽇期：2018-03-01

标准属性：核⼯业⾏业推荐性标准（EJ/T）

中国标准分类号：F40

国际标准分类号：27.120.01

归⼝单位：核⼯业标准化研究所

起草单位：中国原⼦能学研究院、核⼯业标准化研究所

替代说明：⾸次制定，⽆替代标准

适⽤定位：本标准规定了晶闸管（可控硅）辐射改性⼯艺的术语定义、辐射源要求、⼯艺条件、辐照

流程、参数控制、后处理⼯艺、质量检验、⼯艺稳定性控制及辐射安全要求。适⽤于核⼯业、军⼯、

⾼端装备领域电⼒晶闸管、功率可控硅器件的电⼦束与γ射线辐照改性⼯艺⽣产、⼯艺评定与质量管

控，是晶闸管辐照精细化改性、参数标准化、性能⼀致性控制的专⽤⼯艺规范。

前⾔

晶闸管作为⼤功率电⼒电⼦核⼼器件，⼴泛应⽤于核设施控制系统、军⼯电源、⼤功率变流装备等关

键场景。常规⼯艺制备的晶闸管存在开关速度慢、反向恢复特性差、漏电流偏⼤、器件⼀致性不⾜等

缺陷，⽆法满⾜⾼端核⽤、军⼯装备⾼可靠、⻓寿命、⾼稳定性的服役要求。辐射改性技术可通过⾼

能射线辐照调控晶闸管内部载流⼦寿命，精准优化器件开关特性、降低反向恢复电荷、提升器件动态

性能与批量⼀致性，是⾼端晶闸管性能优化的核⼼精密⼯艺。