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2026年GaN射频器件在低空空管5G-A通信与防撞雷达系统的小型化、低延迟应用与出货规模测算

摘要

本报告聚焦低空经济浪潮下，氮化镓（GaN）射频器件在低空空管5G-A通信基站与eVTOL防撞雷达射频前端中的小型化与低延迟应用，并系统测算2026年相关射频模块的出货规模。

研究从行业定义出发，梳理宏观政策与技术环境，解构GaN射频产业链及市场现状，深度剖析竞争格局，并基于下游需求特征，建立“低空通信基站+机载感知雷达”双轨模型，预测2026年GaN射频模块出货量约为1,860万至2,340万颗，对应市场规模约5.6亿至7.0亿美元。核心发现包括：GaN凭借高功率密度、高电子迁移率与低寄生电容，可使5G-A基站射频前端体积缩小约40%、时延降低至亚毫秒级，同时满足eVTOL防撞雷达对紧凑型多通道收发模组的严苛要求。规模测算表明，2026年低空通信网络建设将驱动约1,800万颗GaN功放与开关模块出货，而eVTOL机载雷达将贡献约240万颗高集成度GaN前端模块。报告最后从投资机会与风险角度，提出了优先布局GaN-on-SiC基射频芯片、加强异构集成封装技术储备等战略建议，为相关企业提供决策参考。

第一章行业概况与研究框架

1.1行业定义与分类

低空经济是以各类低空飞行活动为牵引，辐射带动相关产业融合发展的综合性经济形态。

电动垂直起降飞行器（eVTOL）作