微型氮化镓器件感应耦合等离子刻蚀废气环评报告.docVIP

微型氮化镓器件感应耦合等离子刻蚀废气环评报告

一、项目概况与工艺分析

（一）项目背景与产品定位

微型氮化镓（GaN）器件作为第三代半导体核心组件，在5G通信、新能源汽车、人工智能等领域具有高频、高效、耐高温的显著优势。本项目拟建设一条年产能100万片的6英寸微型GaN器件生产线，核心工艺包含外延生长、光刻、感应耦合等离子（ICP）刻蚀、薄膜沉积、封装测试等环节，其中ICP刻蚀是实现器件精细化图形转移的关键工序，也是废气排放的主要来源之一。项目总投资5.2亿元，选址于国家级半导体产业园区，规划用地面积30亩，预计2027年3月建成投产。

（二）ICP刻蚀工艺原理与流程

ICP刻蚀是利用高频电磁场激发工艺气体产生等离子体，通过等离子体中的活性粒子与GaN材料表面发生物理轰击和化学反应，实现精准刻蚀的技术。其基本流程为：

晶圆装载：将完成前道工艺的GaN晶圆送入真空刻蚀腔室；

腔室抽真空：通过机械泵与分子泵组合系统将腔室压力降至10^-3Pa量级；

工艺气体通入：根据刻蚀需求，通入SF6、Cl2、Ar等混合工艺气体，流量控制在50-200sccm；

等离子体激发：通过13.56MHz射频电源产生感应电磁场，使工艺气体电离形成高密度等离子体；

刻蚀反应：等离子体中的F*、Cl*等活性自由基与GaN材料反应生成GaF3、GaCl3等挥发性产物，同时离子轰击增强刻蚀方向性；

废气排出：刻