1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 高等教育
  5. 习题/试题

【答案】《模拟电子技术基础》(浙江大学)章节期末中国大学慕课答案.docx

【答案】《模拟电子技术基础》(浙江大学)章节期末中国大学慕课答案.docx

    1基本半导体器件

    第一单元测试

    1.单选题：由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应：。

    选项：

    A、大于0

    B、小于0

    C、大于或小于0均可

    D、无法确定

    答案：【大于0】

    2.单选题：N沟道耗尽型场效应管中，栅源电压VGS越大，其导电能力将：。

    选项：

    A、越强

    B、越弱

    C、不变

    D、无法确定

    答案：【越强】

    3.单选题：N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS：。

    选项：

    A、越大

    B、越小

    C、不变

    D、无法确定

    答案：【无法确定】

    4.单选题：下图所示电路中，VI=8V，RL=250Ω，稳压二极管正常工作时的VZ=5V，IZ

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >