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集成电路物理题目及答案

题目：在0.18μmCMOS工艺下，设计一个NAND门，并计算其最小噪声容限（NoiseMargin）。

详细内容：

1.设计一个NAND门：

在0.18μmCMOS工艺下，设计一个基本的NAND门，该NAND门包含两个N型MOSFET（NMOS）和两个P型MOSFET（PMOS）。NMOS的阈值电压为0.7V，PMOS的阈值电压为0.7V。

NAND门的电路图如下：

```

VDD

|

|

|[PMOS][PMOS]VDD

|||

|||

|||

AB|

|||

|||

|||

|[NMOS][NMOS]GND

|

|

OUT

```

2.计算NAND门的最小噪声容限：

噪声容限分为两部分：低电平噪声容限（NML）和高电平噪声容限（NMH）。

（1）计算NML：

当输入A和B均为低电平（0V）时，NAND门的输出OUT应为高电平（VD