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电子科学与技术(芯片设计技术前沿)考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种晶体管结构是FinFET之后最具代表性的先进制程核心技术？

A.平面MOSFET

B.全环绕栅极晶体管（GAAFET）

C.鳍式场效应晶体管（FinFET）

D.绝缘体上硅（SOI）晶体管

2.RISC-V架构的核心优势在于？

A.完全闭源的指令集授权模式

B.支持无限扩展的自定义指令集

C.固定的128位基础指令集

D.与x86架构完全兼容

3.Chiplet（小芯片）技术的主要目的是？

A.降低单芯片面积以减少良率损失

B.替代先进制程节点的研发

C.简化封装工艺

D.统一不同代工厂的制造标准

4.存算一体（In-MemoryComputing）芯片设计的关键目标是解决？

A.冯·诺依曼瓶颈（存储墙）

B.摩尔定律失效

C.芯片散热问题

D.晶体管短沟道效应

5.高带宽内存（HBM）与传统DRAM的主要差异在于？

A.采用3D堆叠技术实现垂直互连

B.存储容量更大

C.支持更快的时钟频率

D.基于SRAM工艺制造

6.AI芯片中“稀疏计算优化”主要针对哪种问题？

A.神经网络参数冗余

B.计算单元功耗过高

C