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CN119194599A 一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法 （中电晶华(天津)半导体材料有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-07-29 发布于重庆
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CN119194599A 一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法 （中电晶华(天津)半导体材料有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119194599A

    (43)申请公布日2024.12.27

    (21)申请号202411735231.7C30B28/14(2006.01)

    H01L21/02(2006.01)

    (22)申请日2024.11.29

    (71)申请人中电晶华（天津）半导体材料有限公

    司

    地址300050天津市津南区八里台镇丰泽

    四大道7号

    (72)发明人李明达龚一夫秦涛吴重阳

    李世才赵聪董彬刘云刘奇

    傅颖洁庞伟龙王亚倞

    (74)专利代理机构北京力量专利代理事务所

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