CN119626890A 一种用于激光器的低位错高效率GaN衬底制备方法 （镓特半导体科技(铜陵)有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119626890A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202411732952.2

(22)申请日2024.11.29

(71)申请人镓特半导体科技（铜陵）有限公司

地址244000安徽省铜陵市经济技术开发

区天门山北道3139号

(72)发明人吴礼清刘德昂

(74)专利代理机构铜陵市嘉同知识产权代理事

务所(普通合伙)34186

专利代理师吴晨亮

(51)Int.Cl.

H01L21/02(2006.01)

H01L21/306(2006.01)

H01S5/30(2006.01)