半导体设备 集成电路制造用化学气相淀积设备(CVD)测试方法标准研究报告.docxVIP

SJ/T12023-2025半导体设备集成电路制造用化学气相淀积设备(CVD)测试方法标准发展报告

EnglishTitle:SJ/T12023-2025DevelopmentReportonTestMethodforChemicalVaporDeposition(CVD)EquipmentforIntegratedCircuitManufacturing

摘要

化学气相淀积（CVD）技术是集成电路制造中的核心工艺之一，广泛应用于薄膜沉积、绝缘层制备、导电层生长等关键环节。随着集成电路线宽不断缩小、芯片复杂度持续提升，对CVD设备的沉积速率、薄膜均匀性、颗粒控制及工艺重复性提出了严苛要求。然而，长期以来，我国缺乏统一的、与国际接轨的CVD设备测试方法标准，导致设备性能评价不透明、用户选型困难、国产设备市场推广受阻。为填补这一空白，工业和信息化部发布行业标准SJ/T12023-2025《半导体设备集成电路制造用化学气相淀积设备(CVD)测试方法》。本标准系统规定了CVD设备在沉积速率、薄膜厚度均匀性、折射率、应力、缺陷密度、颗粒污染及工艺稳定性等方面的测试项目、测试条件和评价方法，覆盖了单晶圆和多晶圆生产场景。标准在制定过程中充分借鉴了SEMI（国际半导体设备与材料协会）相关标准及行业最佳实践，同时结合国内设备厂商的实际技术能力，提出了分