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2026四川九州光电子技术有限公司招聘工艺工程师测试笔试历年参考题库附带答案详解

一、选择题

从给出的选项中选择正确答案（共50题）

1、在半导体制造工艺中，光刻技术的核心目的是将掩膜版上的图形精确转移到硅片表面的光刻胶上。以下关于光刻过程的说法，正确的是？

A.正性光刻胶在曝光后变得难溶于显影液

B.负性光刻胶在曝光后发生交联，变得易溶于显影液

C.光刻分辨率与光源波长成正比，与数值孔径成反比

D.浸没式光刻技术通过在水与透镜间填充高折射率液体来提高分辨率

2、化学机械抛光（CMP）是集成电路制造中实现全局平坦化的关键步骤。下列关于CMP过程的描述，错误的是？

A.CMP主要由抛光液和抛光垫组成

B.抛光液中的磨粒通过机械研磨去除表面材料

C.抛光液中的化学成分仅起到润滑作用，不参与化学反应

D.CMP技术可以同时实现不同介质层的平坦化

3、在薄膜沉积技术中，物理气相沉积（PVD）与化学气相沉积（CVD）的主要区别在于？

A.PVD需要高温，CVD不需要

B.PVD涉及化学反应，CVD不涉及

C.PVD通过物理方法将源材料气化，CVD通过气态前驱体的化学反应生成薄膜

D.PVD只能沉积金属，CVD只能沉积绝缘体

4、离子注入是半导体掺杂的重要工艺。为了提高注入精度并减少沟道效应，通常会采取什么措施？

A.增大离子能量

B.倾斜注入角度

C.增加注入剂