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MOS管导通电压试题

1.对于N沟道MOS管，当栅源电压（Vgs）大于其阈值电压（Vth）时，MOS管开始导通。已知某N沟道MOS管的阈值电压为2V，当Vgs为3V时，该MOS管处于什么状态？（5分）

2.一个P沟道MOS管，其阈值电压为-1.5V，若要使其导通，栅源电压（Vgs）需要满足什么条件？（5分）

3.有一MOS管，其导通电阻在导通时为100Ω，当通过它的电流为5mA时，它两端的电压降是多少？（5分）

4.某MOS管的导通电压为3.5V，当栅源电压为3V时，MOS管的导通情况是怎样的？（5分）

5.已知一个MOS管在导通时，漏极电流（Id）与栅源电压（Vgs）的关系为Id=k(Vgs-Vth)^2，其中k为常数。若Vth=2V，Vgs=4V，Id=2mA，求当Vgs变为5V时，Id变为多少？（10分）

答案与解析：

1.答案：导通状态。解析：因为N沟道MOS管当栅源电压Vgs大于阈值电压Vth时导通，已知Vgs为3V大于阈值电压2V，所以MOS管处于导通状态。

2.答案：Vgs小于-1.5V。解析：P沟道MOS管导通条件是栅源电压Vgs小于其阈值电压，已知阈值电压为-1.5V，所以Vgs需小于-1.5V。

3.答案：0.5V。解析：根据欧姆定律U=IR，已知导通电阻R=100Ω，电流I=5mA=0.005A，