CN119900087A 一种高效率碳化硅单晶生长方法 （浙江晶越半导体有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119900087A

(43)申请公布日2025.04.29

(21)申请号202510396938.8

(22)申请日2025.04.01

(71)申请人浙江晶越半导体有限公司

地址312400浙江省绍兴市嵊州市浦口街

道浦南大道368号9号厂房二楼202室

(72)发明人高冰李璐杰

(74)专利代理机构浙江金杜智源知识产权代理

有限公司33511

专利代理师葛天祥

(51)Int.Cl.

C30B29/36(2006.01)

C30B23/00(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图2页