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模拟电路填空题及详细答案解析.pdf

模拟电路填空题及详细答案解析.pdf

    1.在常温下,硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约

    为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为

    多数载流子导电根据场效应管的输出特性其工作情况可以分为可变电阻区恒流区击穿区和截止区四个区域当栅源电压等于零时增强型FET无导电沟道结型FET的沟道电阻最小FET是电压控制器件BJT是电流控制器件在甲类乙类和甲乙类功率放大电路中效率最低的电

    _0.2_V。

    2.二极管的正向电阻小；反向电阻大。

    3.二极管的最主要特性是

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