CN120048717A 远端等离子体源底座以及半导体工艺设备 (拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司).pdfVIP

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  • 2026-08-02 发布于重庆
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CN120048717A 远端等离子体源底座以及半导体工艺设备 (拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120048717A

(43)申请公布日2025.05.27

(21)申请号202510399153.6

(22)申请日2025.03.31

(71)申请人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公

地址110171辽宁省沈阳市浑南区水家900

(72)发明人张晗杨艳郑旭东苏欣

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公

司31100

专利代理师胡林岭

(51)Int.Cl.

H01J37/32(2006.01)

C23C16/44(2006.01)

C23C16/50(2006.01)

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