碳化硅晶体生长废料的回收再利用技术：从切割浆料到高纯硅粉的循环路径.docxVIP

PAGE2

碳化硅晶体生长废料的回收再利用技术：从切割浆料到高纯硅粉的循环路径

摘要

本报告聚焦于碳化硅（SiC）晶体生长及切磨抛加工过程中产生的废料，特别是切割废砂浆的资源化回收技术领域，并深入探讨其在光伏与耐火材料行业中的再利用价值。

报告基于行业公开数据、技术文献及产业链调研，系统分析了SiC废砂浆的产生现状、回收技术路径及其下游应用的市场潜力。

研究发现，随着SiC衬底在功率器件和射频器件中的需求爆发，其加工废料量急剧攀升，年产生量已达数万吨级别，且处置成本高昂，环境压力巨大。

核心结论指出，湿法冶金与物理分离相结合的技术路线，能够有效从切割浆料中回收高纯碳化硅微粉与高纯硅粉，其中制备的6N

同时，提纯后的碳化硅颗粒作为耐火材料骨料，市场消纳能力巨大，经济性良好。

报告进一步预测，未来五年，SiC废料回收市场将形成超过百亿的产业规模，技术壁垒主要在于微粉的纯化与提纯工序。

最终，报告建议企业优先布局“分级回收-分级利用”的梯级循环模式，并重点关注光伏级硅粉与高端耐火材料双赛道，以实现环境效益与经济效益的闭环。

第一章调研概述

1.1调研背景与目标

碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的核心，其衬底加工技术直接决定了器件性能。在SiC晶锭的切磨抛过程中，由于金刚石线锯的切割作用，会产生大量含有高纯碳化硅颗粒、硅粉、金属杂质及切削液的混合废砂浆。

当前行业面临的主要矛盾是