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60V 21A 55mΩN沟道增强型功率MOSFET特性与参数.pdfVIP

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  • 2026-08-06 发布于山西
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60V 21A 55mΩN沟道增强型功率MOSFET特性与参数.pdf

    2013年3月

    FQP20N06LN沟道QFET®

    MOSFET60V,21A,55m

    描述特性

    此N沟道增强型功率MOSFET采用Fairchild•21A,60V,RDS(导通)=55m(最大)@VGS=10

    ®V,ID=10.5A

    Semiconductor的专有平面条纹和DMOS技术制造。这种

    先进的MOSFET技术特别优化以降低导通，并提供卓越•低栅极电荷（典型值9.5nC）

    的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、•低Crss（典型值35pF）

    音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

    •100%雪崩

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