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- 2026-08-06 发布于北京
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P沟道增强型MOSFET
特性引脚描述
•‑16V/‑3.5A,R=60m(典型值)
@V=‑4.5VR=70m(典型值)@V=‑
2.5VR=83m(典型值)@V=‑1.8V
导通电阻栅源导通电阻栅源导通电阻栅源
•密度单元设计
•可靠且坚固SOT‑23顶视图
•可无铅版本(符合R标准)S
应用
G
•笔记本电脑、便携设备和电池供电系统的电源
管理
D
P沟道MOSFET
订购和标记信息
APM2305
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