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半导体制造技术题库及答案

一、选择题（每题2分，共40分）

1.半导体制造中，用于定义晶圆表面图案的关键工艺是？

A.清洗工艺

B.光刻工艺

C.薄膜沉积

D.离子注入

答案：B

2.以下哪种光刻胶在曝光后，曝光区域会被显影液溶解？

A.负性光刻胶

B.正性光刻胶

C.电子束光刻胶

D.极紫外光刻胶

答案：B

3.干法刻蚀与湿法刻蚀的主要区别在于？

A.刻蚀速率

B.是否使用化学溶液

C.刻蚀选择性

D.设备成本

答案：B

4.化学气相沉积（CVD）中，通过等离子体激发反应的工艺是？

A.LPCVD（低压CVD）

B.APCVD（常压CVD）

C.PECVD（等离子体增强CVD）

D.MOCVD（金属有机CVD）

答案：C

5.离子注入后通常需要进行退火处理，主要目的是？

A.去除表面氧化层

B.修复晶格损伤并激活掺杂离子

C.提高晶圆机械强度

D.降低表面粗糙度

答案：B

6.化学机械平坦化（CMP）工艺中，影响平坦化效果的关键因素不包括？

A.抛光垫硬度

B.浆料pH值

C.晶圆旋转速度

D.光刻胶厚度

答案：D

7.以下哪种薄膜沉积技术常用于制备高纯度、高均匀性的二氧化硅层