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半导体制程工艺工程师认证试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺中，决定分辨率的关键公式为R=k1×λ/NA，其中NA代表：

A.光源波长

B.数值孔径

C.焦深

D.工艺因子

2.干法刻蚀与湿法刻蚀相比，最显著的优势是：

A.成本更低

B.各向异性更好

C.选择性更高

D.设备维护更简单

3.下列薄膜沉积技术中，属于物理气相沉积（PVD）的是：

A.低压化学气相沉积（LPCVD）

B.磁控溅射

C.等离子增强化学气相沉积（PECVD）

D.原子层沉积（ALD）

4.离子注入工艺中，决定杂质穿透深度的主要参数是：

A.剂量（Dose）

B.能量（Energy）

C.角度（Angle）

D.束流（BeamCurrent）

5.化学机械平坦化（CMP）工艺的核心作用是：

A.去除表面氧化层

B.实现全局表面平坦化

C.提高薄膜沉积速率

D.增强光刻胶附着力

6.RCA清洗流程中，SC-1溶液的主要成分是：

A.H2SO4:H2O2

B.NH4OH:H2O2:H2O

C.HCl:H2O2:H2O

D.HF:H2O

7.衡量刻蚀工艺均匀性的常用指标是：

A.刻蚀速率（Etch